<kbd id="m75uf6w8"></kbd><address id="r7ijcq9k"><style id="xx99iq7i"></style></address><button id="a3pgzc78"></button>

          跳到内容

          科学家窥探不稳定半导体

          2019年11月4日

          Semiconductor

          从加的夫大学的科学家有,对于第一次,斑以前看不见的“不稳定性”的共同化合物半导体材料的表面上。

          潜在的研究结果可能在电子器件未来的材料,权力我们日常生活的发展产生深远的影响。

          化合物半导体的电子装置的一个集成部分,从智能手机和GPS卫星和笔记本电脑。

          新的研究结果发表在重要期刊 物理评论快报,已经揭示一种常用的化合物半导体材料的表面如何 - 砷化镓(GaAs) - 不与先前认为是稳定的。

          使用国家最先进的设备,在加的夫大学学院物理和天文学和研究所的化合物半导体,球队已经确定了不稳定的小口袋中已出现和消失。然后倾向砷化镓的原子结构。

          这是第一次ESTA这种现象,被称为“亚稳态”你已经被观察到在GaAs表面。

          研究谢永佩雷罗维泰博,从加的夫大学学院物理与天文学的共同作者,他表示:“目前我们还不知道是否ESTA现象是影响半导体结构器件的增长 - 这就是我们下一步需要研究。

          “如果这是现象的过程中发生的半导体器件的生长那么这可能有深远的影响。

          “最终,这些发现将帮助我们更好地理解什么是在分子尺度,这将使我们能够开发新的材料和结构发生,减少缺陷存在的化合物半导体器件,因此制定我们的通讯系统,计算机,手机更好的电子产品,车多。“

          关键就在这发现是设备功能与可用性不存在其他地方在世界上。

          在物理和天文学的学校和研究所化合物半导体的实验室有一个低能量电子显微镜用分子束外延机从而使研究人员对化合物半导体的结构观察动态变化组合是尽管所制造的材料。

          分子束外延技术被用来制造或“生长”通过在基板烧成极热的原子或分子的光束所需的化合物半导体器件和作品。分子降落基板,凝结的表面上,并在超薄层建立非常缓慢,系统地,最终形成的复合物,单晶。

          “尽管砷化镓已经研究好了,在成长过程中使用低能量电子显微镜可以让我们观察到,以前从未见过,动态事件得出结论:”维泰博博士。

          分享这个故事

          它是一种友好,平易近人的学校在物理学和天文学的坚定承诺,以卓越的教学和世界一流的研究。

              <kbd id="ol3xjswe"></kbd><address id="ha31gtg6"><style id="bvj3gn8r"></style></address><button id="pqqhgfmo"></button>